外媒：华为芯片事件基本宣告结束

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外媒：华为芯片事件基本宣告结束
                    华为联合国内厂商在芯片方面取得突破，华为芯片事件基本宣告结束，这也是高通、ASML坚持向华为出货的原因。
都知道，华为5G技术领先后，美就修改芯片规则，限制高通、英特尔、台积电等企业出货，导致华为自研的麒麟9000等芯片暂时无法制造。
不仅如此，美一直都在变本加厉，进一步约束相关半导体企业出货，不仅限制高通等向华为出货4G芯片等产品，还与日荷签订三方协议，限制先进半导体设备出货。


消息称，美进一步限制出货，目前就是全面切断14nm以下芯片工艺。
但没有想到的是，华为经过三年多的时间，已经完成了13000个以上器件的替代开发、4000个以上电路板的反复换板开发。
徐直军还表示，华为芯片设计EDA工具团队联合国内EDA企业，共同打造了14nm以上工艺所需EDA工具，基本实现了14nm以上EDA工具的国产化。
关键是，华为已经发布了畅享60系列手机，相比旗舰机型华为P60系列、Mate X3，畅享60最大的亮点就是采用华为自研的麒麟710A芯片。


麒麟芯片基本都是台积电代工，台积电被限制后，华为将部分芯片订单交给了中芯国际，其用14nm工艺量产了麒麟710A芯片。
如今，麒麟710A芯片再次出现在华为手机上，就有外媒表示华为芯片事件基本宣告结束，因为华为已经联合国内厂商打破了14nm等工艺。
首先，华为已经宣布基本实现了14nm以上EDA工具的国产化，中芯国际等国内厂商已经规模量产了14nm工艺。
再加上，麒麟710A芯片再次回归华为手机，这已经说明国内厂商已经有能力量产部分华为麒麟芯片。


另外，国内芯片制造技术不止14nm工艺，N+1工艺的芯片也实现了小规模量产，7nm工艺也完成了研发任务。
ASML明确表示，可以继续向国内出货型号为1980Di的DUV光刻机，该光刻机单次曝光精度为38nm，但在多重曝光工艺下，可以将芯片制程缩小至7nm。
其次，国内光刻机等技术进步很快，上海微电子28nm精度的光刻机已经通过技术验证，有消息称，国内厂商正在通过逆向工程加速先进光刻机量产。


除了光刻机，国产倒片机已经应用到14nm工艺，蚀刻机已经应用到5nm工艺，光刻胶也应用到AFr工艺中。
即便是当下流行的小芯片封装技术和堆叠技术芯片，前者国内厂商已经突破到4nm,华为也公布了多项堆叠技术芯片专利技术等。
可以说，国内芯片制造技术快速进步，这才促使美进一步封锁技术，想在芯片领域内持续领先，但这不现实。


最后，比尔盖茨明确表示美不可能阻止中国拥有强大性能的芯片，张忠谋突然翻脸，表示支持美对国内发动芯片战，这些都是因为国产芯片制造技术发展迅速。
数据显示，国内进口芯片数量持续下滑，去年减少970亿颗，今年前两个月就同比减少26%，这再次说明越来越多的厂商在使用国产芯片，国产芯片也能够满足需求。
也正是因为如此，高通、ASML明确表示继续出货，就是担心自身被完全替代，所以外媒才说华为芯片事件基本宣告结束。